[도시경제채널 = 원호식 기자] 삼성전자가 미국에서 열린 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에서 HBM 이후 반도체 시장이 나아가야 할 방향을 제시했다.
삼성전자는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 ‘FMS 2026’에 참가해 차세대 3D 메모리와 스토리지 기술 등을 선보였다고 5일 밝혔다.
행사 첫 날 열린 기조연설에서는 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O를 공개했다.
zHBM은 기존 AI 가속기 옆에 배치되던 HBM을 AI 가속기 상단에 수직 적층하는 구조로, 메모리와 가속기간 데이터 이동거리를 줄여 대역폭과 전력 효율을 높인 것이 특징이다. 삼성전자는 zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능과 최대 3배 향상된 전력 효율을 제공한다고 설명했다.
zNAND-O는 기존 V-NAND의 수직 적층 기술과 TSV 기술을 결합한 차세대 NAND 플래시 솔루션이다. 삼성전자는 높은 공간 효율성과 데이터 로딩 대역폭, 빠른 응답 속도를 바탕으로 On-device AI 환경에 최적화된 메모리가 될 것이라고 설명했다.
삼성전자는 또 업계 최초로 수직 적층 400단 이상의 10세대 ‘V10 BV-NAND’도 공개했다. 이는 웨이퍼 본딩과 3 Stack 기술을 적용해 메모리 집적도를 전 세대보다 약 58% 향상시켰고, 데이터 읽기·쓰기 성능과 입출력 속도도 개선됐다.
이외 ▲HBM4E ▲HBM5 ▲LPDDR5X-PIM ▲PM1763 등을 전시하고, 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터에 최적화된 차세대 메모리·스토리지 솔루션도 선보였다.
삼성전자 관계자는 “메모리·로직·파운드리·패키징을 아우르는 ‘원스톱 솔루션’을 제공해 고객 맞춤형 AI 반도체 구현을 지원할 계획이다”며 “앞으로도 차별화된 솔루션을 통해 AI 반도체 기술 경쟁력을 강화해 나간다”라고 말했다.
[저작권자ⓒ 도시경제채널. 무단전재-재배포 금지]
